Dispositivos de Electrónica de Potencia

Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrónica de Potencia se pueden

clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de controlabilidad:

1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados de

conducción o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de

potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningún terminal de control

externo.

2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia de los

Tiristores, los SCR (“Silicon Controlled Rectifier”) y los TRIAC (“Triode of

Alternating Current”). En éste caso su puesta en conducción (paso de OFF a ON) se

debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del

dispositivo, comúnmente denominado

OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control externo de

la puesta en conducción, pero no así del bloqueo del dispositivo.

3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores

bipolares BJT (“Bipolar Junction Transistor”), los transistores de efecto de campo

MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”), los transistores

bipolares de puerta aislada IGBT (“Insulated Gate Bipolar Transistor”) y los tiristores

GTO (“Gate Turn-Off Thyristor”), entre otros.puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de ON a